{"id":1119,"date":"2023-09-11T06:19:21","date_gmt":"2023-09-11T06:19:21","guid":{"rendered":"https:\/\/www.itbatterie.com\/blog\/?p=1119"},"modified":"2023-09-11T06:19:21","modified_gmt":"2023-09-11T06:19:21","slug":"vtfet-e-cu-ru-co-tan-nuova-rivoluzione-nellindustria-dei-semiconduttori","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.itbatterie.com\/blog\/archives\/1119","title":{"rendered":"Vtfet e cu\/ru\/co\/tan: nuova rivoluzione nell\u2019industria dei semiconduttori"},"content":{"rendered":"\n
\"VTFET\"\/<\/figure>\n\n\n\n

Che cos\u2019 \u00e8 vtfet?
vtfet<\/p>\n\n\n\n

Progressi significativi sono stati compiuti nella progettazione di semiconduttori grazie alla collaborazione tra IBM research, samsung e il nostro partner Albany research alliance. La nostra nuova strategia, denominata transistor a effetto fetale in nanofogli per il trasporto verticale (vtfet), potrebbe essere fondamentale per mantenere in vigore la legge di Moore nei prossimi anni.<\/p>\n\n\n\n

Il vtfet rappresenta un\u2019architettura rivoluzionaria del transistor. A differenza dei modelli tradizionali, questo transistor innovativo utilizza fogli nanometrici sottili per facilitare il flusso verticale della corrente elettrica, a differenza del flusso laterale tradizionale. Ci\u00f2 comporta migliori prestazioni e una maggiore efficienza nel consumo di energia.<\/p>\n\n\n\n

Un aspetto fondamentale del vtfet \u00e8 la sua capacit\u00e0 di integrare un numero maggiore di transistor in un chip, senza che ci\u00f2 implichi un aumento significativo delle sue dimensioni. Consentendo il flusso di corrente verticale, si riduce la distanza che il segnale elettrico deve percorrere, con conseguente ottimizzazione della velocit\u00e0 e dell\u2019efficienza di trattamento.
Inoltre, il vtfet \u00e8 pi\u00f9 resistente alle perdite di calore ed elettricit\u00e0, il che lo rende un\u2019alternativa promettente per applicazioni che richiedono elevate prestazioni ed energia. Ci\u00f2 \u00e8 particolarmente importante in settori quali l\u2019intelligenza artificiale e l\u2019informatica quantistica, in cui \u00e8 necessaria l\u2019elaborazione rapida e intensiva di grandi volumi di informazioni.<\/p>\n\n\n\n

L\u2019approccio vtfet sviluppato da IBM research e samsung mostra come l\u2019innovazione costante e l\u2019esplorazione di nuovi approcci possano superare gli attuali limiti tecnologici. Anche se la legge di Moore sta forse raggiungendo il suo limite in termini di aumento del numero di transistor su un chip, questa tecnologia emergente indica un percorso promettente, e le cifre che tratter\u00f2 in seguito la supportano.
Attualmente, le nuove configurazioni predominanti del chip sono basate su transistor a effetto di campo di trasporto laterale, come il transistor a effetto di campo pinne, noto come finfet, a causa della sua somiglianza con la pinna posteriore di un pesce. Questi transistor sono impilati sulla superficie di un wafer di silicio.
Al contrario, il vtfet organizza i transistor perpendicolarmente al wafer di silicio e canalizza la corrente elettrica In direzione verticale verso la superficie del wafer. Questo nuovo approccio affronta gli ostacoli della scalatura allentando i vincoli fisici relativi alla lunghezza della porta del transistor, allo spessore dello spazio trai componenti e alle dimensioni dei contatti, in modo che ciascuna di queste propriet\u00e0 possa essere ottimizzata in termini di rendimento o di efficienza energetica.<\/p>\n\n\n\n

Tramite vtfet \u00e8 stata dimostrata con successo la possibilit\u00e0 di sfruttare la scala al di l\u00e0 della tecnologia dei semiconduttori cmos odierni. In questi nodi avanzati, il vtfet potrebbe offrire fino a un doppio rendimento o una riduzione fino all\u201985 per cento del consumo energetico rispetto all\u2019alternativa su scala ridotta del finfet. Infatti, l\u2019ibm ha annunciato un chip wafer con trattamento a 2nm e 50 milioni di transistor In uno spazio simile a quello delle unghie.<\/p>\n\n\n\n

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In passato, i progettisti aumentavano la densit\u00e0 dei transistor su un chip riducendo la larghezza e le interconnessioni dei cancelli. Lo spazio fisico in cui tutti i componenti sono disposti \u00e8 denominato ‘gate pass connesso’ (CGP), ossia la distanza minima tra le porte dei transistor. La capacit\u00e0 di ridurre i passaggi di porta e di connessione ha permesso ai progettisti di circuiti integrati di passare da migliaia a milioni di transistor nei nostri dispositivi. Tuttavia, con le tecnologie pi\u00f9 avanzate di finfet, c\u2019\u00e8 solo un po\u2019 di spazio per spaziatori, porte e contatti. Una volta raggiunto il limite CGP, non rimane pi\u00f9 spazio.<\/p>\n\n\n\n

Dirigendo verticalmente il flusso di corrente elettrica, porte, distanziatori e contatti non sono pi\u00f9 limitati dalle modalit\u00e0 tradizionali. In altre parole, c\u2019\u00e8 la possibilit\u00e0 di espandere la CGP mantenendo al contempo un transistor, un contatto e un isolamento adeguati (chiamato isolamento di fosse poco profonde o sti).
Liberandoci dai limiti della disposizione laterale e del flusso di corrente, i ricercatori sono stati anche in grado di utilizzare contatti pi\u00f9 ampi fonte\/scarico per aumentare la corrente nel dispositivo. La lunghezza della porta pu\u00f2 essere regolata per ottimizzare la corrente conduttrice e la perdita del dispositivo, mentre lo spessore del distanziatore pu\u00f2 essere regolato indipendentemente per ridurre la capacit\u00e0.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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